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核心技术制约我国IGBT产业化进程

2013-10-08 09:29:56 北极星电力软件网
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随着IGBT技术的发展,IGBT已经从工业扩展到消费电子应用,成为未来10年发展最迅速的功率半导体器件;而在中国市场,轨道交通、家电节能、风力发电、太阳能光伏和电力电子等应用更是引爆了IGBT应用市场。据IHS
    随着IGBT技术的发展,IGBT已经从工业扩展到消费电子应用,成为未来10年发展最迅速的功率半导器件;而在中国市场,轨道交通、家电节能、风力发电、太阳能光伏和电力电子等应用更是引爆了IGBT应用市场。据IHS iSuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告,由于绿色能源与能源效率得到更多的重视,以及政府投资支持和严格的能源政策,2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场销售额的复合年度增长率将达13%。2011年IGBT销售额将达到8.59亿美元,2015年有望达到13亿美元,如下图所示。与其它MOSFET等其它分立功率元件相比,中国IGBT销售额增长强劲。

IGBT产品可以分为IGBT模组和分立器件。由于功率输出较高、尺寸较小和在终端应用中的可靠性,IGBT模组广泛用于几乎所有的电子产业,从消费领域一直到工业领域。2010年,模组占总体IGBT销售额的73%,达到5.37亿美元。IGBT分立元件则占剩余的27%。2010年总体IGBT销售额达到7.1亿美元,比2009年的4.3亿美元大增65%。 

 

挑战及差距

虽然市场空间巨大,但目前国内IGBT市场仍为英飞凌和三菱等国外厂商的垄断,南京银茂微电子销售总监估计国内IGBT市场95%以上都是进口的产品。尽管国外IGBT巨头在国内有一些投资或者合资企业,但在IGBT方面对中国还是实行技术封锁,所以真正的核心技术并没有流向中国,这严重制约了我国IGBT产业化的进程。

“与国外厂商相比,国产IGBT主要差距在器件设计,工艺和生产制造技术方面,以及整个终端应用的解决方案上面。另外,IGBT原材料的供应也会一定程度上影响国产IGBT的发展”。华润上华分立器件产品开发中心总经理吴宗宪实事求是的说,他同时表示,尽管国内IGBT产业发展比较快,但是因为各方面存在的差距比较大,要赶上国际水平的话则需要5-10年时间。

西安芯派的总经理罗义则悲观的多,他认为目前的形势下国内IGBT赶上国外水准是痴人说梦,他解释道:“国内目前IGBT产业只能说是刚刚起步,技术和工艺基本上都是空白,一方面,IGBT的技术日新月异,更新很快,国内企业很难跟上步伐,更不要说是赶超了。另一方面,国内还没有掌握IGBT的核心技术,目前国内只是一些IGBT的封装厂,没有自己真正的品牌,没有自主品牌拿什么跟人家竞争?”

另外,缺少产业化的技术经验和人才也是目前我国IGBT行业发展面临的困境之一,虽然随着一部分海归回国创业,在一定程度上改善了这种状况,但是由于国内大部分高校和研究机构把精力转向了SIC和GaN宽禁带半导体器件及电源管理芯片方向,只有两三家高校和研究机构还在进行IGBT器件相

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