硅片是光伏产业链中重要的一环，占组件成本的三分之一。
传统硅片加工工艺过程复杂，能耗高。
与传统硅片的成本相比，直接法硅片的成本大幅降低，如下图。
制作传统硅片能耗的示意。
与传统硅片的能耗相比，直接法硅片的能耗降低约66%。
我们曾经对薄膜电池抱有很大的期望。
摩根士丹利于2008年的预测，
薄膜电池的市场份额到2013年将能达到25%;
华尔街日报于2009年预测，
薄膜电池的市场份额到2012年将能达到40%;
英国GBI于2009年预测，
薄膜电池的市场份额到2016年将能达到38%;
N型和IBC电池会是未来的发展方向吗？
ITRPV 在2010年层预测N型和IBC电池到2016年会占据35% 的市场份额(如下图)。而事实却并非如此。
Super N-Type 超级N型
Super = Super Expensive
超级=超级昂贵
最大供应商的成本都高达0.93美元每瓦 (亏损1.6亿美元)
制造困难
主流厂商已经放弃N型电池
P型单晶 vs P型多晶
多晶和单晶的试验效率
组件效率差异很小，主要是绒面差异
多晶提供更低的全寿命成本
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2015年下半年的单晶价格下降现象和2008年的薄膜现象非常类似
过去35年不同类型光伏产品的市场份额
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直接法硅片成本每片低于30美分
直接法硅片的技术优势
1)漂移电场对少子更有效的利用
2)通过局部温度控制实现硅片3D生长，通过局部温度控制决定生长厚度,在硅片内部行成3D结构，从而实现电池产线可接受的薄片化。
3)优异的柔性，可以使用更薄的玻璃封装，进一步降低成，提高良率，减少碎片
